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能量探測(cè)器系列PEM K 型 該探測(cè)器的主要應(yīng)用場(chǎng)景為高功率密度脈沖激光（準(zhǔn)分子激光、CO?-TEA 激光、Nd-YAG 激光）。由于其具有高損傷閾值、短時(shí)間常數(shù)、較高靈敏度和大孔徑特性，我們提供的這款傳感器可廣泛適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。 與其他涂層不同，該涂層具有耐受性。因此，可使用大多數(shù)溶劑或消毒劑清潔其表面。這一特性以及對(duì)準(zhǔn)分子激光的高損傷閾值，使得該系列探測(cè)器成為醫(yī)療應(yīng)用的理想選擇。

能量探測(cè)器系列PEM K 型 該探測(cè)器的主要應(yīng)用場(chǎng)景為高功率密度脈沖激光（準(zhǔn)分子激光、CO?-TEA 激光、Nd-YAG 激光）。由于其具有高損傷閾值、短時(shí)間常數(shù)、較高靈敏度和大孔徑特性，我們提供的這款傳感器可廣泛適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景。 與其他涂層不同，該涂層具有耐受性。因此，可使用大多數(shù)溶劑或消毒劑清潔其表面。這一特性以及對(duì)準(zhǔn)分子激光的高損傷閾值，使得該系列探測(cè)器成為醫(yī)療應(yīng)用的理想選擇。

InGaAs 超低噪單元探測(cè)器 UPD-5G-A 超低噪聲光電單元探測(cè)模塊集成了超低噪聲模擬PIN探測(cè)器、低噪聲寬帶跨阻放大器以及超低噪聲隔離電源單電源供電，輸出信號(hào)不受外部供電電源的影響。該模塊在本底噪聲控制方面尤為突出， 在相同參數(shù)下其本底噪聲約為常規(guī)模塊的三分之一，很好滿足客戶對(duì)更小信號(hào)探測(cè)以及更高信噪比的需求。

寬帶吸收涂層熱釋電探測(cè)器 探測(cè)器表面鍍有黑色吸光涂層，該涂層在185納米至25微米波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有近乎恒定的吸收率。本系列探測(cè)器的顯著優(yōu)勢(shì)在于其較高的靈敏度特性——無(wú)需外接放大器即可實(shí)現(xiàn)μJ級(jí)激光脈沖測(cè)量，并具備優(yōu)異的抗干擾能力。 探測(cè)器的Max. 脈沖重復(fù)頻率取決于內(nèi)部電容與負(fù)載電阻的匹配關(guān)系。所有型號(hào)均可通過(guò)BNC接口直接連接示波器的1MΩ輸入端口。選用小阻值負(fù)載電阻可獲得更高的脈沖重復(fù)頻率，

寬帶吸收涂層熱釋電探測(cè)器 探測(cè)器表面鍍有黑色吸光涂層，該涂層在185納米至25微米波長(zhǎng)范圍內(nèi)具有近乎恒定的吸收率。本系列探測(cè)器的顯著優(yōu)勢(shì)在于其較高的靈敏度特性——無(wú)需外接放大器即可實(shí)現(xiàn)μJ級(jí)激光脈沖測(cè)量，并具備優(yōu)異的抗干擾能力。 探測(cè)器的Max. 脈沖重復(fù)頻率取決于內(nèi)部電容與負(fù)載電阻的匹配關(guān)系。所有型號(hào)均可通過(guò)BNC接口直接連接示波器的1MΩ輸入端口。選用小阻值負(fù)載電阻可獲得更高的脈沖重復(fù)頻率，