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50Gbps56Gbaud APD Chip（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片
更新時間：2025-10-29
產品型號：
瀏覽量：1691
10Gbps InGaAs APD Chip φ40um（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片
更新時間：2025-10-29產品型號：瀏覽量：1397
高性能硒化鉛(PbSe)單通道紅外探測器(非制冷與制冷型) 硒化鉛(PbSe)單通道紅外探測器在1至5um光譜范圍內進行物質分析時，能提供性能與特性的z佳平衡。其高靈敏度、快速響應時間以及業界優秀的可靠性相結合，可確保在任何需要的時間和場合都能提供穩定一致的性能表現。
更新時間：2025-11-01產品型號：瀏覽量：1595
320-1100nm放大型固定增益硅光電探測器 銦鎵砷雪崩光電探測器(APD)設計用于提供比標準PIN探測器更強的靈敏度和更低的噪聲，非常適合于低光功率級別的應用。除了我們標準的APD之外，還提供具有可變增益(即M因子)和/或溫度補償的版本。
更新時間：2025-11-10產品型號：瀏覽量：1956
硅 Silicon 帶放大高速光電探測器 ET-2030A 美國EOT 產品總覽 筱曉光子公司代理美國的EOT(Electro-Optics Technology)公司全線產品EOT 的放大光電探測器()包含利用光伏效應將光功率轉換為電流的 PIN 光電二極管和允許測量1 mW 輸入功率的固定增益跨阻放大器。
更新時間：2024-12-06產品型號：瀏覽量：2260
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