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產品分類
硅 Si 高靈敏度雪崩光電二極管APD模塊 620nm APD 是具有通過施加反向電壓產生的內部增益的光電二極管。它們具有比 PIN 光電二極管更高的信噪比 (SNR)，以及快速的時間響應、低暗電流和高靈敏度。光譜響應范圍通常在 200 - 1150 nm 范圍內。 C12702-12為短波型，有效面積：Φ3.0 mm APD 模塊專為方便使用 Si APD 而設計。
更新時間：2024-12-06
產品型號：
瀏覽量：1808
200um InGaAs APD Chip φ200um（銦鎵砷） InGaAs雪崩光電二極管（APD）芯片
更新時間：2025-10-29產品型號：瀏覽量：2457
1064nm 四象限Si光電探測器( 光敏面直徑 16mm,直流響應度 0.3A/W) 產品應用 ● 激光瞄準、制導跟蹤及探索裝置 ● 激光微定位、位移監控等精密測量系統
更新時間：2024-12-05產品型號：瀏覽量：2162
硅 Si 高性能雪崩光電二極管(APD) 400-1000nm 0.5mm TO-18 C30902EH高性能硅雪崩光電二極管(APD)的感光面直徑為0.5 mm，適合于生物醫學和分析應用。 這種Si APD設計為雙擴散“穿透式”結構，可在400和1000 nm之間提供高響應度，以及在所有波長處都極快的上升和下降時間。
更新時間：2024-12-05產品型號：瀏覽量：2698
905nm 硅雪崩光電二極管 400-1100nm (光敏面直徑：0.23mm TO46) 硅雪崩光電二極管，光譜響應范圍從可見光到近紅外，峰值響應波長905nm。大光敏面，高速響應，高增益，低噪聲。
更新時間：2024-12-05產品型號：瀏覽量：2124
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